大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Somany的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级lidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zmany的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级ài)下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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