大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过筑梦未来是什么意思，锦时筑梦是什么意思网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储筑梦未来是什么意思，锦时筑梦是什么意思等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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