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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。ny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗strong>为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗hǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。