大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外(w10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱ài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱 Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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