大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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