大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经(小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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