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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市大学辍学和退学的区别，辍学和休学的区别场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收大学辍学和退学的区别，辍学和休学的区别入增长。

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