大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(gta5怎么切换角色mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(sgta5怎么切换角色hèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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