大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患72小时是几天，72小时是几天几夜造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)72小时是几天，72小时是几天几夜生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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