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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产五斤等于多少克，五斤等于多少克千克品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(五斤等于多少克，五斤等于多少克千克quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存五斤等于多少克，五斤等于多少克千克储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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