大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31一本书多重，一本书多重有一斤吗日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(h一本书多重，一本书多重有一斤吗uá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需(xū)求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产(一本书多重，一本书多重有一斤吗chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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