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对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么半导体突发！中国出手：停止采购！

　　大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　半导(dǎo)体突发！中国出手(shǒu)：停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)！

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　半导体突发！中国出手(shǒu)：停止采(cǎi)购！

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么>　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么cuī)生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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