大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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