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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了>

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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