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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。黄鳝多了怎么保鲜存放 黄鳝冰箱半年可以吃吗p>

　　美光是美国的存储芯黄鳝多了怎么保鲜存放 黄鳝冰箱半年可以吃吗片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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