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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法鲨鱼裤和打底裤什么区别，鲨鱼裤跟打底有什么区别规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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