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五一最适合带孩子去哪旅游,五一带孩子去哪里好玩 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息(xī),日前(qián),网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全,是维护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放,只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全(quán),防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华五一最适合带孩子去哪旅游,五一带孩子去哪里好玩(huá)人民共和国(guó)网络安全法》,网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性,巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶(j五一最适合带孩子去哪旅游,五一带孩子去哪里好玩īng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì),或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì),国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单,设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

 

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