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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(m亚磷酸是几元酸怎么判断，硼酸是几元酸怎么判断ěi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，亚磷酸是几元酸怎么判断，硼酸是几元酸怎么判断公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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