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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗alt="半导体突(tū)发！中(zhōng)国(guó)出手(shǒu)：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weix坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗in/one_20230521204212521.png">

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约1坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗1％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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