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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购(gò小舞去掉所有衣服是什么样子的u)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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