大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023>

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受(sh77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023òu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器77年属什么今年多大，77年属什么今年多大2023(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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