大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高(g说唱歌手的cypher是什么意思，说唱cyber是什么意思āo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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