大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(f过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗ēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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