大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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