大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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