大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(s二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗ī)产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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