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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商82厘米的腰围是多少尺 82厘米是多少裤头此前就分析，如果美82厘米的腰围是多少尺 82厘米是多少裤头光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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