大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(sh什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗ì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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