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0是有理数吗还是无理数,0是有理数吗?判断题 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

  据网信0是有理数吗还是无理数,0是有理数吗?判断题办消息,0是有理数吗还是无理数,0是有理数吗?判断题日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán),是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng),至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì),公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

  有券商(shā0是有理数吗还是无理数,0是有理数吗?判断题ng)此前就分析,如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析(xī)称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单,设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升(shēng),以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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